STB34N65M5

STB34N65M5是ST意法半导体推出的MDmesh V系列N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于结合了650V的高耐压与110毫欧的低导通电阻（Rds(on)），同时栅极电荷（Qg）被优化至62.5nC，这一组合有效平衡了传导损耗与开关损耗，为高效率电源设计提供了关键支持。

该器件在25°C管壳温度下可承受28A的连续漏极电流，最大功率耗散达190W，并支持高达150°C的结温工作，确保了在高温环境下的稳定性和鲁棒性。这些特性使其成为工业电源、服务器电源、PFC电路及LED驱动等中高功率密度应用的优选功率开关元件。

• 型号:STB34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB34N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。