STB34NM60N技术参数详情：
STB34NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和29A连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。
其技术优势在于实现了低导通电阻与优异开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至105毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大84nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，从而提升系统效率并降低开关损耗。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中高效、可靠功率开关的理想选择。
- 型号:STB34NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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