STB35N65DM2

STB35N65DM2是ST意法半导体MDmesh M2系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于650V的漏源电压（Vdss）和28A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为110毫欧（@14A），配合最大54nC（@10V）的栅极电荷（Qg），实现了低导通损耗与快速开关特性的优异结合。这些参数使其在提升系统效率、降低热管理和允许更高开关频率方面表现突出，适用于开关电源、PFC及工业电源等高效能转换领域。

• 型号:STB35N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB35N65DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。