STB36NM60N技术参数详情：
STB36NM60N是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级MDmesh II系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心优势在于其600V的漏源电压（VDSS）和高达29A（TC）的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了低导通电阻（105mΩ @ 10V, 14.5A）与低栅极电荷（83.6nC @ 10V）的良好折衷，这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效。结合210W（TC）的功率处理能力和150°C的最高工作结温，使其能够在汽车、工业电源及电机驱动等要求高可靠性和高效率的领域中稳定运行。
- 型号:STB36NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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