STB38N65M5

STB38N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的高耐压与低至95mΩ（@10V， 15A）的导通电阻，在高压应用中能有效降低传导损耗，提升系统效率。

其30A的连续漏极电流承载能力和71nC的低栅极电荷，确保了强大的功率处理能力与快速的开关性能。采用D2PAK表面贴装封装，支持高达190W的功率耗散，工作结温可达150°C，为高可靠性、高功率密度的电源与电机驱动设计提供了坚实的硬件基础。

• 型号:STB38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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