STB40NF10T4技术参数详情：
STB40NF10T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下达50A的连续漏极电流（Id），具备较强的电压阻断和电流导通能力。
其技术优势主要体现在优异的开关与传导特性上：在10V栅极驱动、25A电流条件下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为28毫欧，有效降低了导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）为80nC，有助于实现快速的开关切换并简化驱动电路设计。这些特性使其成为提升电源转换效率和功率密度的关键元件，曾广泛应用于各类中高功率的开关电源、电机驱动及功率控制领域。
- 型号:STB40NF10T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1780 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-50°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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