STB42N60M2-EP

STB42N60M2-EP是ST意法半导体MDmesh M2-EP系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面技术，在600V的漏源电压（V_dss）下，能够提供高达34A的连续漏极电流，并实现了低至87毫欧的导通电阻（R_DS(on)），有效降低了导通损耗。

其设计优化了开关性能，最大栅极电荷（Q_g）仅为55nC，有助于实现高速开关并降低驱动需求。器件采用D2PAK表面贴装封装，支持250W的功率耗散，最高结温达150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于高效率开关电源和工业功率转换应用。

• 型号:STB42N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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