STB45N30M5

STB45N30M5是ST意法半导体基于MDmesh M5技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK（TO-263）封装，核心优势在于其300V的漏源电压等级下，实现了极低的典型导通电阻（0.037Ω），这能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

其优化的内部结构在提供高击穿电压的同时，也带来了优异的开关性能，使其非常适合在高频开关电源拓扑中作为主开关或同步整流管使用。这款器件主要面向对效率和功率密度有严苛要求的应用，如服务器电源、工业电源、电机驱动及大功率适配器等。

• 型号:STB45N30M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 26.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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