STB45NF06T4

STB45NF06T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心电气参数针对高效功率处理进行了优化。

其关键特性包括60V的漏源电压（V_DSS）和高达38A（Tc）的连续漏极电流处理能力。最突出的卖点在于其极低的导通电阻，在10V V_GS、19A I_D条件下，R_DS(on)最大值仅为28mΩ，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，58nC（最大值）的栅极电荷（Q_g）有助于实现快速的开关速度，提升系统整体效率。

该MOSFET设计工作结温高达175°C，具备良好的热性能，适用于要求高可靠性和高功率密度的各类开关电源、电机驱动及电源管理应用。

• 型号:STB45NF06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1730 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
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