STB46N30M5技术参数详情：
STB46N30M5是意法半导体基于MDmesh V技术开发的N沟道功率MOSFET，属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其300V的漏源电压（Vdss）和53A的连续漏极电流（Id）处理能力，能够满足高功率应用的需求。
其关键技术参数包括在10V驱动下低至40毫欧的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了传导损耗；以及95nC的典型栅极电荷（Qg），有利于实现高效率的快速开关。这些特性使其在需要高效能功率转换和开关控制的场合中表现出色，尤其适用于汽车电子和工业电源系统。
- 型号:STB46N30M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:300 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 26.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4240 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 现在可以订购STB46N30M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
