STB4N62K3

STB4N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心规格为620V漏源电压（Vdss）与3.8A连续漏极电流（Id），专为应对高压开关环境而设计。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡。器件在10V栅极驱动下，具备较低的导通电阻，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在14nC，这有效协同降低了导通与开关损耗，有助于提升电源系统的整体能效和工作频率。高达150°C的结温（TJ）和70W的功率耗散能力，确保了其在紧凑空间和高温环境下的运行可靠性。

• 型号:STB4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.95 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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