STB50N65DM6技术参数详情：
STB50N65DM6是ST意法半导体MDmesh DM6系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装D2PAK封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源击穿电压与33A（Tc）的高连续漏极电流能力，结合其优化的低导通电阻（典型值91mΩ @ 10V, 16.5A），为高功率应用提供了出色的传导性能与能效基础。
其技术参数针对高效开关应用进行了深度优化，较低的栅极电荷（Qg(max) 52.5nC @ 10V）有助于降低开关损耗并提升工作频率，而宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）则确保了其在恶劣环境下的可靠性。这些特性使其成为工业电源、功率因数校正（PFC）、UPS及逆变器等中高功率密度设计的理想功率开关选择。
- 型号:STB50N65DM6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:91 毫欧 @ 16.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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