STB55NF06LT4技术参数详情：
STB55NF06LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其60V的漏源电压（Vdss）和高达55A的连续漏极电流（Id）承载能力，能够满足中高功率应用的需求。
其技术亮点是极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为18mΩ（@27.5A），这直接带来了更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数确保了快速的开关特性，有助于减少开关损耗并提升工作频率。器件结温范围覆盖-55°C至175°C，具备出色的热性能和可靠性，适用于对效率和稳定性有严格要求的工业与消费类电子领域。
- 型号:STB55NF06LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 27.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.7V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:95W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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