STB60N55F3技术参数详情：
STB60N55F3是意法半导体基于STripFET III技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件在55V漏源电压（Vdss）下，能够提供高达80A（Tc）的连续漏极电流，而其关键优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值8.5mΩ @ 10V, 32A）与栅极电荷（Qg最大值45nC @ 10V）的组合，这使其在高频开关应用中能同时实现优异的传导效率和快速的开关速度。
器件采用D2PAK表面贴装封装，具备110W（Tc）的功率耗散能力和-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的可靠性与散热性能。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高密度DC-DC转换器等中高功率应用的理想选择。
- 型号:STB60N55F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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