STB60NE06L-16T4

STB60NE06L-16T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术和D2PAK封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在10V V_GS下导通电阻（R_DS(on)）低至14mΩ（@30A），同时栅极电荷（Q_G）最大值仅为70nC，能有效降低传导与开关损耗，提升系统效率。

该器件额定电压60V，连续漏极电流高达60A（T_C），功率耗散达150W，具备强大的电流处理能力。其2.5V的阈值电压便于逻辑电平驱动，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于要求高可靠性的工业环境。这些特性使其成为DC-DC转换、电机驱动和电源管理等中功率开关应用的理想解决方案。

• 型号:STB60NE06L-16T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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