STB60NF06LT4技术参数详情：
STB60NF06LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其出色的电流处理能力与极低的功率损耗。
其额定参数为60V漏源电压和60A连续漏极电流，而关键特性在于其极低的导通电阻（14毫欧 @ 10V, 30A）与适中的栅极电荷（66nC @ 4.5V）。这一组合使其既能有效降低导通状态下的能耗，又能实现快速的开关切换，非常适合高频、高效的功率转换应用。宽广的工作温度范围（-65°C ~ 175°C TJ）进一步确保了其在严苛环境下的可靠性。
- 型号:STB60NF06LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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