STB6N65K3技术参数详情：
STB6N65K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK封装。其核心卖点在于高达650V的漏源电压额定值，能够为高压开关应用提供坚固的耐压保障。
该器件在壳温条件下支持5.4A的连续漏极电流，适用于中功率级别的电源转换场景。其设计兼顾了高压环境下的可靠性，典型应用于开关电源、功率因数校正及LED驱动等领域的功率开关环节。
- 制造商产品型号：STB6N65K3
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 650V DPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：不用於新
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.4A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：-
- 器件封装：-
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