STB6NK90ZT4

STB6NK90ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心优势在于其900V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至2欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压环境下能有效降低传导损耗。

器件在25°C壳温下可提供5.8A的连续漏极电流，最大功率耗散达140W。其开关性能经过优化，栅极电荷（Qg）最大值仅为60.5nC，有助于实现高效的快速开关操作。该MOSFET采用表面贴装型D2PAK封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类严苛应用环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STB6NK90ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB6NK90ZT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。