STB70NF3LLT4技术参数详情：
STB70NF3LLT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，设计用于处理高达30V的漏源电压和70A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值9.5mΩ @ 10V）和优化的栅极电荷（最大33nC），旨在实现高效率的功率转换与开关控制。
其电气特性使其非常适合要求低损耗和高电流处理能力的应用。器件支持宽范围的工作温度（-55°C至175°C结温）并提供100W的功率耗散能力，确保了在 demanding 环境下的可靠性。这些参数共同定义了其在同步整流、电机驱动和各类开关电源中的关键作用。
- 型号:STB70NF3LLT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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