STB70NH03LT4

STB70NH03LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用D2PAK封装，专为高效功率切换而设计。

其核心优势在于极低的导通电阻（R_DS(on)最大9.5mΩ @ 10V, 30A）与优化的栅极电荷（Q_g最大21nC @ 5V），这共同实现了优异的传导损耗与开关损耗平衡。器件额定值为30V漏源电压（V_DSS）和60A连续漏极电流（I_D），并支持高达175°C的结温工作，确保了在同步整流、电机驱动及负载开关等大电流应用中的可靠性与高效率。

• 型号:STB70NH03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:858W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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