STB80N20M5技术参数详情：
STB80N20M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心规格包括200V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下达61A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其关键优势在于极低的导通损耗，在10V栅源电压驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为23毫欧。同时，器件具备优化的开关特性，栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于提升开关频率并降低驱动损耗。结合190W（Tc）的功率耗散能力和高达150°C的结温工作范围，使其成为要求高可靠性与高效率的功率开关应用的理想选择。
- 型号:STB80N20M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):61A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 30.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4329 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 现在可以订购STB80N20M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
