STB80NE03L-06T4技术参数详情：
STB80NE03L-06T4是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术，封装为D2PAK。其核心优势在于高达80A的连续漏极电流处理能力与极低的导通电阻（典型值6mΩ @ 10V, 40A），这使其在传导损耗方面表现优异，显著提升功率转换效率。
该器件设计用于30V电压环境，栅极驱动兼容标准逻辑电平（4.5V/10V），并具备较低的栅极电荷（130nC @ 5V），有助于实现快速开关并降低驱动损耗。其宽工作结温范围（-55°C至175°C）和150W的功率耗散能力，确保了在 demanding 应用中的稳定性和可靠性，非常适合需要高效能和高功率密度的设计。
- 型号:STB80NE03L-06T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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