STB80NF55-06T4技术参数详情：
STB80NF55-06T4是ST意法半导体STripFET II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs和40A Id条件下，Rds(on)最大值仅为6.5mΩ，这直接带来了更低的传导损耗和更高的系统效率。
其额定电压为55V，连续漏极电流高达80A（Tc），并支持高达300W（Tc）的功率耗散，具备强大的功率处理能力。结合189nC的栅极电荷和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，使其能够在高频率开关及恶劣温度环境下稳定可靠地工作，适用于同步整流、电机驱动和各类电源转换拓扑。
- 型号:STB80NF55-06T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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