STB80NF55L-06T4技术参数详情：
STB80NF55L-06T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的导通损耗，其漏源电压（Vdss）为55V，在壳温25°C时连续漏极电流（Id）可达80A。
其技术参数针对高效率开关应用进行了优化。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至6.5毫欧（@40A），能显著降低传导过程中的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C TJ）使其能够胜任高频开关任务，并在各种环境条件下保持稳定可靠的性能，是同步整流、电机驱动和DC-DC转换器等应用的理想选择。
- 型号:STB80NF55L-06T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:136 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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