STB80NF55L-08-1

STB80NF55L-08-1是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK封装和STripFET II技术。其核心优势在于极低的导通电阻（8mΩ @ 10V, 40A）与高电流承载能力（连续漏极电流80A @ T_C），旨在最大限度地降低传导损耗，提升系统能效。

该器件具备55V的漏源电压额定值和175°C的最高工作结温，确保了在严苛环境下的可靠运行。其栅极特性（如2.5V的阈值电压和100nC的栅极电荷）经过优化，便于驱动并有助于控制开关损耗。这些参数使其成为中高功率开关电源、电机驱动及功率转换系统中高效功率开关的理想选择。

• 型号:STB80NF55L-08-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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