STB80PF55T4

STB80PF55T4是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于其成熟的STripFET II系列。该器件采用D2PAK封装，核心参数包括55V的漏源电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id），具备处理高功率的能力。

其技术优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和40A Id条件下，Rds(on)最大值仅为18毫欧，这显著降低了传导损耗。同时，258nC的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关性能。该器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行，适用于高效率电源转换和电机驱动等应用。

• 型号:STB80PF55T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:258 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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