STB85NS04Z

STB85NS04Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于SAFeFET产品系列，采用D2PAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其高电流处理能力与低导通损耗，其连续漏极电流（Id）在壳温条件下高达80A，而在10V驱动、30A电流时导通电阻（Rds(on)）最大值仅为15毫欧，能显著提升功率转换效率。

此外，其开关性能经过优化，栅极电荷（Qg）最大值为100nC @ 10V，有助于实现快速开关并降低相关损耗。33V的漏源电压（Vdss）和215W（Tc）的功率耗散能力，结合-55°C至175°C的宽工作结温范围，使其能够稳定应对各种 demanding 的功率管理应用环境。

• 型号:STB85NS04Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:215W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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