STB9NK50ZT4技术参数详情：
STB9NK50ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，实现了500V高漏源电压（Vdss）与低导通电阻的优异组合，旨在最大限度地降低高压应用中的传导损耗。
其关键参数包括7.2A的连续漏极电流（Tc）、优化的栅极电荷（Qg）以及采用散热性能良好的D2PAK表面贴装封装。这些特性使其能够提供高效的功率开关解决方案，特别适用于要求高可靠性和高能效的工业电源、照明驱动及电机控制等应用场景。
- 型号:STB9NK50ZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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