STB9NK70Z-1技术参数详情：
STB9NK70Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心电气特性包括700V的漏源电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于通过优化的结构实现了较低的导通电阻（1.2Ω @ 10V, 4A）与栅极电荷（68nC @ 10V）的组合，这有助于在降低导通损耗的同时，提升开关速度与效率。器件支持宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和±30V的栅源电压，确保了在工业电源、照明及电机控制等应用中的稳定性和耐用性。
- 型号:STB9NK70Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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