STC6NF30V技术参数详情：
STC6NF30V是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列。该器件在30V的漏源电压（VDSS）下，可支持高达6A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（RDS(on)），在4.5V VGS下典型值仅为25毫欧，有效降低了导通损耗。
作为逻辑电平门器件，其低至600mV的栅极阈值电压使其能与3.3V/5V逻辑电路无缝对接。同时，其低栅极电荷（9nC @ 2.5V）和输入电容特性优化了开关性能，适用于高频开关应用。器件采用8-TSSOP表面贴装封装，工作结温范围宽（-55°C至150°C），为紧凑型高效功率管理设计提供了可靠选择。
- 型号:STC6NF30V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-TSSOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8TSSOP
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9nC @ 2.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.5W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装:8-TSSOP
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