STD10N60M6技术参数详情：
STD10N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和6.4A（Tc）的连续漏极电流，为高压应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）典型值低至600毫欧 @ 3.2A，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，典型8.8nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大338pF @ 100V）共同确保了快速、高效的开关行为，有助于提升系统频率并减少开关损耗。这些参数使其成为要求高效率和可靠性的功率转换设计的优选器件。
- 型号:STD10N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-252（DPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:338 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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