STD11NM50N技术参数详情：
STD11NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其500V的漏源电压和8.5A的连续漏极电流能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流基础。
其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合，在10V驱动电压下，导通电阻典型值仅为470mΩ，同时栅极电荷被优化至19nC。这直接转化为更高的系统效率和潜在的高开关频率运行能力。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功耗70W，支持高达150°C的结温工作，确保了在紧凑空间和高温环境下的长期可靠性，适用于开关电源、PFC电路及电机控制等关键领域。
- 型号:STD11NM50N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:470 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:547 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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