STD11NM60N-1

STD11NM60N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和10A的连续漏极电流（I_D）承载能力。

其技术优势体现在较低的导通电阻（R_DS(on)）和优化的栅极电荷（Q_g），这有助于在电源转换系统中实现更高的效率和更低的开关损耗。器件采用通孔式I-PAK封装，提供良好的热性能，最高结温为150°C，适用于要求高可靠性的工业与消费类电源设计。

• 型号:STD11NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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