STD12N50DM2技术参数详情：
STD12N50DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh DM2技术和DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id）承载能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术参数经过精心优化，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为350毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值低至16nC。这一组合特性显著降低了导通损耗和开关损耗，有助于提升系统的整体能效和开关频率。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和110W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STD12N50DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:628 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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