STD12N65M5技术参数详情：
STD12N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心特性包括650V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下8.5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的电压与电流处理能力。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（RdsOn）最大值仅为430毫欧，同时栅极总电荷（Qg）最大值控制在22nC。这种低RdsOn与低Qg的组合，能够有效降低导通损耗和开关损耗，从而提升电源系统的整体转换效率。该器件适用于对效率和可靠性有较高要求的工业与消费类功率电子领域。
- 型号:STD12N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 4.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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