STD12NF06L-1技术参数详情：
STD12NF06L-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其优异的导通与开关特性平衡。
其关键电气参数包括60V的漏源电压和12A的连续漏极电流处理能力。尤为突出的是，在10V Vgs驱动下，其导通电阻最大值低至100毫欧（@6A），同时栅极电荷最大值仅为10nC，这共同确保了低传导损耗和高频开关效率。宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）和高达42.8W的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛应用环境下的可靠性。
- 型号:STD12NF06L-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:42.8W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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