STD12NF06LT4技术参数详情：
STD12NF06LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术，封装为表面贴装型DPAK。其核心电气参数针对高效功率开关进行了优化，具备60V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流处理能力。
该器件的关键优势在于其低导通电阻与低栅极电荷的出色结合。在10V Vgs、6A Id条件下，其导通电阻最大值仅为100毫欧，能显著降低导通损耗。同时，最大10nC的栅极电荷（@5V）确保了快速的开关瞬态响应，有利于提升开关频率并降低驱动损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）也保证了在恶劣环境下的可靠运行。
- 型号:STD12NF06LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:42.8W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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