STD134N4F7AG

STD134N4F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET技术，在紧凑的DPAK封装内实现了优异的电气性能，其核心优势在于高达80A的连续漏极电流承载能力和低至3.5毫欧（最大值，@10V, 40A）的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提升系统效率。

该MOSFET设计用于严苛的汽车环境，具备40V的漏源电压和高达175°C的工作结温，确保了在宽温范围内的稳定性和可靠性。其优化的栅极电荷（最大41nC @10V）有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。这些特性使其成为汽车动力总成系统、电动助力转向、DC-DC转换器以及各类高电流开关应用的理想选择。

• 型号:STD134N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2790 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:134W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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