STD13N60DM2

STD13N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：导通电阻（Rds(on)）低至365毫欧（@10V， 5.5A），有效降低了传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为19nC，确保了快速的开关切换和较低的驱动损耗。这些特性使其在高达150°C的结温下，能实现高效率的功率转换。

该器件专为提升开关电源能效而优化，适用于功率因数校正（PFC）、离线式转换器及照明驱动等对效率和可靠性有严苛要求的领域。

• 型号:STD13N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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