STD14NM50N技术参数详情：
STD14NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为320毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性支持快速的开关速度，有利于提升开关电源等应用的效率和频率性能。
- 型号:STD14NM50N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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