STD14NM50NAG技术参数详情：
STD14NM50NAG是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，专为满足汽车电子及高性能工业应用的严苛要求而设计。该器件属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列，并集成了先进的MDmesh II技术。
其核心电气参数定义了卓越的性能：500V的漏源电压和12A的连续漏极电流提供了强大的功率处理能力。关键优势在于极低的导通电阻（320mΩ @ 10V, 6A）与极小的栅极电荷（27nC @ 10V），这共同实现了高效率与快速开关的完美结合，能显著降低开关损耗和驱动需求。此外，150°C的最高结温和90W的功率耗散能力确保了其在高温环境下的可靠运行。
- 型号:STD14NM50NAG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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