STD150N3LLH6

STD150N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET VI和DeepGATE技术。该器件在30V的漏源电压（V_DSS）下，具备高达80A（T_C）的连续漏极电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS和40A条件下典型值仅为2.8毫欧，能显著降低传导损耗。

此外，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为29nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于高频开关应用。器件采用DPAK表面贴装封装，最大结温为175°C，为高功率密度、高效率的电源转换和电机驱动解决方案提供了可靠的半导体开关选择。

• 型号:STD150N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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