STD155N3H6技术参数详情：
STD155N3H6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下，Rds(on)典型值仅为3毫欧，这能显著降低传导损耗，提升系统效率。
该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流高达80A（Tc），并具备62nC的低栅极电荷（Qg @ 10V），支持快速的开关频率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和110W（Tc）的功率耗散能力，使其能够胜任高电流、高功率密度的应用环境。
- 型号:STD155N3H6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3650 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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