STD15N50M2AG

STD15N50M2AG是意法半导体推出的一款AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2系列。该器件采用先进的超结技术，提供了500V的漏源电压（V_DSS）和10A的连续漏极电流（I_D）处理能力。

其关键优势在于优异的开关性能与低导通损耗的结合。在10V V_GS驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）低至380mΩ，同时栅极电荷（Q_g）最大值仅为13nC，这共同确保了高效率的功率转换和更低的驱动需求。器件采用DPAK封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，专为要求高可靠性和高效率的汽车及工业电源应用而设计。

• 型号:STD15N50M2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:530 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD15N50M2AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。