STD16N50M2

STD16N50M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh技术，封装形式为TO-252（D-Pak）。其核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了基础保障。

该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下具有较低值，有助于减少导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性确保了更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升整体电源系统的效率和功率密度。

• 型号:STD16N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:710 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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