STD18N65M5技术参数详情：
STD18N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心特性包括650V的漏源电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。
其技术亮点在于实现了低导通损耗与低开关损耗的优化组合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为220毫欧，有助于提升系统效率。同时，较低的栅极电荷（Qg，典型值31nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有利于提高工作频率并减小外围元件尺寸。这些特性使其成为工业电源、PFC电路和电机控制等应用的理想选择。
- 型号:STD18N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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