STD18NF25技术参数详情：
STD18NF25是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术，并通过AEC-Q101汽车级认证。该器件设计用于高压、高电流开关应用，其核心参数包括250V的漏源电压（Vdss）和在壳温条件下17A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其关键优势在于优异的导通性能，在10V Vgs条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为165毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至29.5nC，这共同实现了低传导损耗与高开关效率的结合。封装形式为表面贴装DPAK，最大结温达175°C，功率耗散110W（Tc），确保了在汽车电子、工业电源等严苛环境下的可靠运行与长寿命。
- 型号:STD18NF25
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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