STD19N3LLH6AG技术参数详情：
STD19N3LLH6AG是ST意法半导体生产的一款N沟道MOSFET，采用STripFET技术，并符合AEC-Q101汽车级质量标准。该器件设计用于要求高可靠性和高效率的应用场景。
其主要电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）。其关键性能优势体现在极低的导通电阻（最大33毫欧 @ 5A, 10V）和较小的栅极电荷（最大3.7nC @ 4.5V），这共同确保了较低的传导损耗和快速的开关速度，有助于提升整体电源系统的能效。器件采用DPAK表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，满足汽车及工业环境的严苛要求。
- 型号:STD19N3LLH6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:321 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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