STD1HN60K3技术参数详情：
STD1HN60K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压与经过优化的低导通电阻特性，使其在高压开关应用中能有效降低导通损耗。
其技术参数针对高效开关进行了调校，包括较低的栅极电荷和输入电容，有助于提升开关速度并减少驱动损耗。器件在25°C壳温下额定连续漏极电流为1.2A，最大功率耗散27W，且工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性，适用于要求紧凑设计与高效能的小功率电源转换领域。
- 型号:STD1HN60K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 600mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:27W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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