STD20P3H6AG技术参数详情：
STD20P3H6AG是ST意法半导体基于STripFET F6技术开发的一款车规级（AEC-Q101）P沟道功率MOSFET。该器件在30V的漏源电压下支持高达20A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻（50毫欧 @ 10A, 10V），能显著降低功率损耗，提升系统整体效率。
此外，器件具备低栅极电荷（12.8nC）和宽工作温度范围（-55°C至175°C）的特性，确保了快速开关性能和高温环境下的可靠性。采用DPAK表面贴装封装，适用于需要高功率密度和稳健性的汽车电子及工业电源应用，如电机驱动、负载开关和电源管理电路。
- 制造商产品型号：STD20P3H6AG
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 20A DPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET F6
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 10A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12.8nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：635pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：40W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DPAK
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